基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法
本文选题：非成像光学 切入点：光学扩展量 出处：《光子学报》2017年01期
【摘要】：基于精确的LED光源近场模型,提出了一种LED光学扩展量测量方法.通过追迹LED近场光源模型中的光线数据,可获得LED光功率关于光学扩展量的关系曲线,直观反映出LED光源的光学扩展量特性和光能利用率等信息.以紫外曝光系统中的UV-LED阵列面光源为例,对三款不同型号的UV-LED进行了实际测量.通过测量得到的光学扩展量和光能利用率曲线,可以对UV-LED的光束质量作出判断,并为阵列面光源的优化设计提供帮助.
[Abstract]:Based on the accurate near-field model of LED light source, a measurement method of LED optical expander is proposed. By tracing the ray data in LED near-field light source model, the relation curve of LED optical power to optical spreading quantity can be obtained. The optical spreading characteristic and light energy utilization ratio of LED light source are reflected intuitively. The UV-LED array surface light source in UV exposure system is taken as an example. Three different types of UV-LED have been measured in practice. By measuring the optical spreading and energy utilization curves, the beam quality of UV-LED can be judged, and the optimum design of array surface light source can be provided.
【作者单位】： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院集成光电技术研究中心;中国科学院上海技术物理研究所红外探测与成像技术重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(Nos.61475199,61275061) 国家高技术研究发展计划(No.2014AA123202)资助~~
【分类号】：TN312.8
【参考文献】
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，本文编号：1697907
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