硅通孔电阻开路故障模型研究

发布时间：2018-04-05 15:15

  本文选题：三维集成电路　切入点：硅通孔　出处：《微电子学与计算机》2017年05期

【摘要】：硅通孔(Through Silicon Via)技术是三维集成电路发展的关键技术,因此对于TSV的缺陷故障检测具有十分重要的意义.讨论了TSV的物理模型和延时模型,同时在先进设计系统(ADS)中建立了TSV的电阻开路故障的等效电路模型,提取了RLC参数.然后通过给等效电路模型施加信号源,将开路故障的输出延时与无故障时的输出进行对比,对不同程度故障的TSV的传输延时进行分析,并用最小二乘法拟合出利用延时来判断故障的大小的曲线.
[Abstract]:Through silicon vias (Through Silicon Via) is a key technology in the development of three-dimensional integrated circuits, so it has very important significance for fault detection of TSV is discussed. The physical model and the delay model of TSV, at the same time in the advanced design system (ADS) equivalent circuit model is established in TSV open circuit fault resistance, extract the RLC parameter. Then by applying the signal source to the equivalent circuit model, the output delay will open circuit fault compared with the output when there is no fault, the transmission delay for different faults of TSV are analyzed, and by using least squares fitting using delay to determine the size of the curve of fault.

【作者单位】： 桂林电子科技大学电子工程与自动化学院;桂林电子科技大学机电工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(51465013) 桂林电子科技大学研究生创新项目(2016YJCX28) 广西自动检测技术与仪器重点实验室主任基金(YQ15109) 广西研究生教育创新计划资助项目(YCSZ2014142)
【分类号】：TN407

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本文编号：1715322