ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响

发布时间：2018-04-05 15:19

  本文选题：ICP干法刻蚀　切入点：碲镉汞光导材料　出处：《半导体光电》2017年01期

【摘要】：研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退,表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电阻率增加。分析认为增大的压强使得材料内部产生了更多的填隙Hg离子,增强了载流子受到的电离杂质散射作用;同时材料内部也产生了更多的缺陷,极化声子散射作用也因此加强。由此解释了在流片过程中出现的某一批次碲镉汞光导器件性能的恶化是该批次器件ICP刻蚀工艺中的气压参数增加所致。
[Abstract]:The effect of etching gas pressure on electrical parameters of long wave HgCdTe photoconductive devices prepared by ICP(Inductively Coupled plastic dry etching process was studied.It is found that increasing the gas pressure will lead to the deterioration of the electrical properties of the materials, such as the increase of carrier concentration, the decrease of mobility and the increase of resistivity.It is concluded that the increasing pressure causes more interstitial Hg ions in the material, which enhances the ionizing impurity scattering of carriers, and at the same time, there are more defects in the material, so the polarization phonon scattering is strengthened.It is explained that the deterioration of the performance of a batch of HgCdTe photoconductive devices during the flow sheet process is due to the increase of the pressure parameters in the ICP etching process of the batch device.
【作者单位】： 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室;中国科学院大学;中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金项目(11304335)
【分类号】：TN21

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