FT-CCD的纳秒脉冲激光毁伤效应

发布时间：2018-04-05 18:52

  本文选题：FT-CCD　切入点：脉冲激光　出处：《红外与激光工程》2017年10期

【摘要】：用1 064 nm波长8 ns脉宽激光,以1-on-1模式辐照在评估板驱动工作下的FT50M型FTCCD图像传感器进行实验。结果显示,随着脉冲能量密度的逐渐提高,在FT-CCD输出图像中依次出现辐照点单侧黑线、白点、两侧白线等典型毁伤现象。这区别于IT-CCD在脉冲激光辐照下依次出现白点、白线的毁伤过程。通过对比FT-CCD与IT-CCD的结构异同,结合已知的IT-CCD的毁伤机制,分析认为单侧黑线毁伤现象的首先出现表明了FT-CCD多晶硅电极先于硅衬底受损的激光毁伤模式。文中丰富了对CCD图像传感器激光毁伤效应的认识,为深入探索CCD激光毁伤机制提供了新的线索。
[Abstract]:FT50M type FTCCD image sensor was irradiated by 1-on-1 mode with a wavelength of 1 064 nm and 8 ns pulse width laser. The experiment was carried out by using a FTCCD image sensor driven by an evaluation plate.The results show that along with the increasing of pulse energy density, the typical damage phenomena such as single side black line, white spot and white line on both sides appear in FT-CCD output image in turn.This is different from the white spot and white line damage process of IT-CCD under pulsed laser irradiation.By comparing the structural similarities and differences between FT-CCD and IT-CCD, combined with the known mechanism of IT-CCD damage, it is considered that the first occurrence of unilateral blackline damage shows that the laser damage mode of FT-CCD polycrystalline silicon electrode is prior to that of Si substrate.This paper enriches the understanding of laser damage effect of CCD image sensor and provides a new clue for further exploring the mechanism of CCD laser damage.
【作者单位】： 西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(11405132)
【分类号】：TN24

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本文编号：1716018