深亚微米GGNMOS器件ESD鲁棒性的优化与模拟

发布时间：2018-04-09 05:08

  本文选题：ESD　切入点：GGNMOS　出处：《微电子学》2017年01期

【摘要】：基于单指条栅接地N型场效应晶体管(GGNMOS)在静电放电(ESD)时的物理级建模方法,仿真分析了版图参数和工艺参数对器件ESD鲁棒性的影响。提出了一种可提高器件ESD保护性能的优化设计,即硅化扩散工艺下带有N阱的多指条GGNMOS结构。对单指条器件模型进行修正,得到的多指条模型能预估不同工艺条件下所需的N阱长度,以满足开启电压Vt1小于热击穿电压Vt2的设计规则。由仿真结果可知,对于一个0.35μm工艺下的10指条GGNMOS,通过减小栅极长度(L)、提高衬底掺杂浓度(N_(BC))和漏极掺杂浓度(N_E),以及从修正模型中得到合适的N阱长度,均可以增强器件的ESD鲁棒性。
[Abstract]:Based on the physical level modeling method of single-finger grid-grounded N-type field-effect transistor (GGNMOS) during electrostatic discharge (ESD), the effects of layout parameters and process parameters on the robustness of ESD are simulated and analyzed.In this paper, an optimal design for improving the ESD protection performance of devices is proposed, that is, the multi-finger GGNMOS structure with N-well in silicification diffusion process.By modifying the single-finger device model, the multi-finger strip model can predict the N-well length required under different process conditions, so as to satisfy the design rule that the opening voltage Vt1 is smaller than the thermal breakdown voltage Vt2.The simulation results show that for a 10 finger GGNMOSs in a 0.35 渭 m process, by reducing the gate length, increasing the substrate doping concentration, increasing the substrate doping concentration and the drain doping concentration, we can obtain the appropriate N well length from the modified model.Both can enhance the ESD robustness of the device.
【作者单位】： 广西大学物理科学与工程技术学院;广西相对论天体物理重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(U1431109) 广西自然科学基金重点项目(桂科基2015GXNSFDA139002) 广西大学科研基金资助项目(XJZ120269)
【分类号】：TN386

【参考文献】

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【共引文献】

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4 刘瑶;高英俊;;ESD应力下深亚微米GGNMOS二次击穿物理级建模仿真[J];微电子学;2015年06期

5 沈放;陈巍;黄灿英;陈艳;;一种CMOS新型ESD保护电路设计[J];现代电子技术;2015年24期

6 王振兴;张希军;杨洁;武占成;;静电放电防护器件研究综述[J];军械工程学院学报;2011年02期

【二级参考文献】

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1 刘瑶;姚若河;高英俊;;ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模[J];微电子学;2008年05期

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本文编号：1724972