阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS的研究

发布时间：2018-04-09 06:21

  本文选题：类超结　切入点：阶梯掺杂　出处：《微电子学》2017年04期

【摘要】：提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱区的引入对衬底辅助耗尽效应所带来的电荷不平衡问题进行了调制,使得漂移区可以充分耗尽,提高了耐压。P区变掺杂可以提高N区浓度,降低了导通电阻。与常规二维类超结LDMOS结构相比,击穿电压提高了30%,导通电阻下降了10.5%,FOM提升了87.6%,实现了击穿电压与导通电阻的良好折中。
[Abstract]:A two dimensional superjunction LDMOS structure with step doped P column region is proposed.The longitudinal superjunction was formed in the drift region by P / N column doping alternately.The P column in the drift region is a variable doped structure with low doping concentration from source to drain.The introduction of the variable doped P column region modulates the charge imbalance caused by the substrate assisted depletion effect, which makes the drift region fully depleted, and increases the voltage. P region variation doping can increase the N region concentration and reduce the on-resistance.Compared with the conventional two-dimensional over-junction LDMOS structure, the breakdown voltage is increased by 30%, the on-resistance is decreased by 10.5%, and the on-resistance is increased by 87.6%, thus achieving a good compromise between the breakdown voltage and the on-resistance.
【作者单位】： 南京邮电大学电子科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61274080)
【分类号】：TN386.1

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本文编号：1725236