一种应用于LTE-A的双功率模式宽带功率放大器设计
发布时间:2018-04-12 19:50
本文选题:双功率模式 + 功率回退 ; 参考:《电子技术应用》2017年09期
【摘要】:针对LTE-A移动终端应用,采用双功率模式架构设计了一款宽带功率放大器,利用功放工作模式的切换,改善了功放回退区域的效率。该功放还采用了InGaP/GaAs HBT和AlGaAs/InGaAs pHEMT的一体化工艺,将功放电路与控制电路单片集成,实现模式控制的片上切换,能有效提高功放的集成度。该功放在工作电压为3.4 V,频率2.3~2.69 GHz范围内,使用10 MHz LTE调制信号输入,在输出功率为10 dBm时,测得LPM相对于HPM效率提高至少6%,有效提高了功放功率回退时的效率,功放的性能在全频带内满足3GPP协议要求。
[Abstract]:For the application of LTE-A mobile terminal, a broadband power amplifier is designed based on dual power mode architecture. The switching of power amplifier working mode improves the efficiency of the power amplifier retreat area.The integrated technology of InGaP/GaAs HBT and AlGaAs/InGaAs pHEMT is adopted in the power amplifier, which integrates the power amplifier circuit with the control circuit, realizes the on-chip switching of mode control, and can effectively improve the integration of the power amplifier.In the range of working voltage 3.4V and frequency 2.3v 2.69 GHz, the power amplifier uses 10 MHz LTE to modulate the signal input. When the output power is 10 dBm, the measured LPM improves the efficiency of HPM by at least 6 times, which effectively improves the efficiency of the power amplifier when the power is back.The performance of power amplifier meets the requirements of 3GPP protocol in full band.
【作者单位】: 广东工业大学信息工程学院;
【基金】:东莞市引进创新创业领军人才项目(15Zk0369)
【分类号】:TN722.75
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1 黄国龙;LTE-A射频高效率多合体功率放大器关键技术研究[D];电子科技大学;2012年
2 包磊;LTE-A射频高效率功率放大器中频技术研究[D];电子科技大学;2012年
,本文编号:1741177
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