桥式电路中不同封装SiC MOSFET串扰问题分析及低栅极关断阻抗的驱动电路

发布时间：2018-04-13 03:32

  本文选题：串扰 + SiC　； 参考：《电工技术学报》2017年18期

【摘要】：由于SiC MOSFET开关速度较快,使得桥式电路中串扰问题更加严重,这样不仅限制了SiC MOSFET开关速度的提升,也会降低电力电子装置的可靠性。针对SiC MOSFET的非开尔文结构封装和开尔文结构封装的串扰问题分别进行分析,栅漏极结电容的充放电电流和共源寄生电感电压均会引起处于关断状态开关管的栅源极电压变化。提出一种用于抑制串扰问题的驱动电路,该驱动电路具有栅极关断阻抗低、结构简单、易于控制的特点。分析该驱动电路的工作原理,提供主要参数的计算方法。最后通过实验测试了两种结构封装SiC MOSFET的串扰问题,并且对提出的驱动电路进行了实验,验证了其正确性以及对串扰问题的抑制效果。
[Abstract]:Because of the fast switching speed of SiC MOSFET, the crosstalk problem in bridge circuits is more serious, which not only limits the speed of SiC MOSFET switch, but also reduces the reliability of power electronic devices.The crosstalk problems of SiC MOSFET non-Kelvin structure package and Kelvin structure package are analyzed respectively. The charge / discharge current of gate drain junction capacitor and the common source parasitic inductance voltage will cause the change of gate source voltage in switch on state.A drive circuit for crosstalk suppression is proposed. The drive circuit has the advantages of low gate turn-off impedance, simple structure and easy control.The working principle of the drive circuit is analyzed, and the calculation method of the main parameters is provided.Finally, the crosstalk problem of SiC MOSFET encapsulated with two kinds of structures is tested experimentally, and the proposed drive circuit is tested to verify its correctness and the effectiveness of suppressing crosstalk problem.
【作者单位】： 北京交通大学电气工程学院;
【分类号】：TN386

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 李 响;高速电路设计中的串扰问题及对策[J];电子质量;2002年04期

2 吴昊;陈少昌;王杰玉;;高速数字系统的串扰问题分析[J];现代电子技术;2009年01期

3 孟凡菲;吴薇;;跨越不完整平面高速信号串扰问题研究[J];科技视界;2012年18期

4 李小平,黄卡玛,陈谊;高速电路中串扰问题的仿真分析及解决对策[J];电讯技术;2005年01期

5 李旭;俞集辉;李永明;汪泉弟;;互连导线串扰问题的人工神经网络预测[J];计算物理;2009年02期

6 耿俊;;高速电路PCB设计中串扰问题的抑制[J];北京工业职业技术学院学报;2012年03期

7 文开壹;;串扰问题分析及对PCB设计的指导[J];电子技术;2014年02期

8 丁君;张t，

本文编号：1742750