一种高性能快速关断型槽栅MOS器件

发布时间：2018-04-15 13:35

  本文选题：金属场板 + 巴利加优值　； 参考：《微电子学与计算机》2017年01期

【摘要】：提出了一种高性能快速关断型槽栅MOS器件.与常规型器件相比,这种新型器件在氧化槽内引入了两个垂直场板,这不仅使得器件在漂移区内引入了两个新的电场峰值,增大了器件的击穿电压BV,而且使得器件垂直漏场板周围形成了一层浓度更大的积累层,降低了导通电阻.故提高了器件的巴利加优值FOM.由于这种新型器件纵向栅、漏场板之间存在的垂直场板使得影响器件开关速度的栅漏电容值部分转化为器件的栅源电容以及漏源电容.结果分析表明:氧化槽宽度为1.7μm、漂移区浓度为2.3×1015cm-3时这个新型器件巴利加优值FOM提升了84.8%,栅漏电荷Q_(GD)提升了26.8%.
[Abstract]:A high performance fast turn-off slot gate MOS device is proposed.Compared with conventional devices, this new type of device introduces two vertical field plates in the oxidation tank, which not only makes the device introduce two new electric field peaks in the drift region.The breakdown voltage BV of the device is increased, and an accumulation layer with higher concentration is formed around the vertical leakage plate, which reduces the on-resistance.Therefore, the Baligaard value FOM of the device is improved.Due to the longitudinal gate of the new device, the vertical field plate between the drain field plates makes the gate leakage capacitance which affects the switching speed of the device partly converted into the gate source capacitance and the drain source capacitance of the device.The results show that when the width of the oxidation channel is 1.7 渭 m and the concentration of drift region is 2.3 脳 1015cm-3, the Baligaard value FOM is increased by 84.8and the gate leakage charge QD is increased by 26.8%.
【作者单位】： 西南交通大学信息科学与技术学院;
【分类号】：TN386

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本文编号：1754341