808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研制

发布时间：2018-04-16 13:17

  本文选题：激光光学 + 半导体激光芯片　； 参考：《中国激光》2017年06期

【摘要】：通过设计极低损耗808nm半导体激光芯片外延结构,实现腔内损耗小于0.5cm~(-1)。采用该高效率外延结构研制出高峰值功率808nm巴条芯片,巴条的填充因子为85%,包含60个发光点,发光区宽度为140μm,腔长为2mm。在驱动电流为500A,脉冲宽度为200μs,重复频率为400 Hz,占空比为8%的工作条件下,该芯片的准连续(QCW)峰值输出功率为613 W,斜率效率达1.34 W/A,峰值波长为807.46nm,光谱半峰全宽为2.88nm。任意选取5只芯片,在准连续300 W(占空比8%)条件下进行了寿命验证,芯片寿命达到3.63×109 shot,定功率300W下电流变化小于10%,达到商业化水平。
[Abstract]:Through the design of low loss 808nm semiconductor laser chip epitaxial structure, intracavity loss is less than 0.5cm~ (-1). The development of high peak power 808nm chip bar using the high efficiency epitaxy structure, bar fill factor of 85%, including 60 light emitting region, 140 m width, the cavity length of 2mm. in drive the current is 500A, the pulse width is 200 s, repetition rate of 400 Hz and a duty cycle of 8% working conditions, the quasi continuous chip (QCW) peak output power is 613 W, the slope efficiency of 1.34 W/A, the peak wavelength is 807.46nm, the spectral full width at half maximum of 2.88nm. randomly selected 5 in 300 W chip, quasi continuous wave (8% duty cycle) was carried out under the condition of life verification, chip life reached 3.63 * 109 shot, constant current power changes of 300W less than 10%, reaching the level of commercialization.

【作者单位】： 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室;西安立芯光电科技有限公司;
【基金】：国家自然科学基金(61504167) 中国科学院百人计划基金(Y429941233) 陕西省自然科学基金(2015JQ6263)
【分类号】：TN248.4

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1759103