兆声清洗在GaAs PHEMT栅凹槽工艺中的应用

发布时间：2018-04-16 19:51

  本文选题：GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) + 栅凹槽　； 参考：《半导体技术》2017年03期

【摘要】：对GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)在栅凹槽光刻和栅凹槽腐蚀过程中光刻窗口内经常出现的一些沾污颗粒进行了分析。设计了一系列实验来分析残留在芯片上的颗粒度参数,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)圆片模拟实际的栅凹槽清洗工艺过程,利用颗粒度测试仪分别测试了4英寸圆片表面不同粒径的沾污颗粒数在喷淋和兆声清洗两种条件下的变化情况。比较两种清洗结果,兆声清洗方法可以有效去除栅凹槽颗粒沾污。在实际流片过程中,采用兆声清洗方法大幅降低了源漏间沟道漏电数值,同时芯片的直流参数成品率由之前的75%提高到了93%。
[Abstract]:Some contaminated particles often appear in the gate groove lithography and the gate groove etching process by using GaAs pseudo-matched high electron mobility transistor (PHEMTT) are analyzed in this paper.A series of experiments were designed to analyze the particle parameters remaining on the chip. The 4 inch / 1 inch / 2.54 cm wafer was used to simulate the actual cleaning process of the gate grooves.The change of the number of contaminated particles with different particle sizes on the surface of 4-inch wafer was measured by particle size tester under two conditions of spray and sonographic cleaning.Compared with the two cleaning results, the method of megaphone cleaning can effectively remove the particle contamination of the grate grooves.In the process of actual flow sheet, the leakage value of channel between source and drain is greatly reduced by using the method of megaphone cleaning, and the yield of DC parameters of the chip is increased from 75% to 933%.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】：TN386

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本文编号：1760346