MBE外延InSb基CdTe工艺研究

发布时间：2018-04-18 05:41

  本文选题：MBE + CdTe/InSb　； 参考：《激光与红外》2017年04期

【摘要】：成功制备了CdTe/InSb复合衬底,为长波HgCdTe外延提供了可能。通过工艺研究解决了InSb氧化层去除及In元素扩散控制两个难点问题,使用As钝化法可以解决双腔衬底转移的问题,在常用的退火工艺下,通过厚度的调整可以阻挡In元素的扩散。
[Abstract]:CdTe/InSb composite substrates were successfully prepared, which provided the possibility for long wave HgCdTe epitaxy.Two difficult problems of InSb oxide removal and in element diffusion control are solved through process research. The problem of double cavity substrate transfer can be solved by using as passivation method.The diffusion of in elements can be prevented by adjusting the thickness.
【作者单位】： 华北光电技术研究所;
【分类号】：TN304.2

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本文编号：1767071