宽带混频器的优化设计

发布时间：2018-04-22 09:01

  本文选题：砷化镓(GaAs) + 混频器　； 参考：《半导体技术》2017年05期

【摘要】：采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并实现了一款单片宽带混频器。该混频器采用双平衡混频器结构,以串联的两个漏源相连的PHEMT作为环形二极管电桥中的二极管以提升混频器线性度。本振巴伦和射频巴伦均采用螺旋线式Marchand巴伦,为降低巴伦的幅度及相位不平衡度,采用遗传算法对巴伦的几何参数进行了优化设计。该混频器电路采用0.25μm GaAs PHEMT工艺实现,芯片面积为1.5 mm×1.1 mm。测试结果表明,当本振功率为20 dBm时,变频损耗小于7 dB,输入三阶交调点IIP_3大于22 dBm。本振端口到射频端口和中频端口的隔离度均大于30 dB。
[Abstract]:A monolithic wideband mixer is designed and implemented using 0.25 渭 m GaAs pseudo-electron mobility transistor (PHEMTT) process. The mixer adopts a dual balanced mixer structure, and the PHEMT connected to two drain sources in series is used as the diode in the ring diode bridge to enhance the linearity of the mixer. In order to reduce the amplitude and phase imbalance of Marchand Barron, both Benchembrandt and RF Barron are optimized by genetic algorithm (GA) in order to reduce the amplitude and phase imbalance of Barron. The circuit is realized by 0.25 渭 m GaAs PHEMT technology. The chip area is 1.5 mm 脳 1.1 mm. The test results show that when the local oscillator power is 20 dBm, the frequency conversion loss is less than 7 dB, and the third order IIP_3 is more than 22 dB m. The isolation of local oscillator port to RF port and if port is more than 30 dB.
【作者单位】： 河北科技大学信息科学与工程学院;中国电子科技集团公司第五十四研究所;
【基金】：河北省自然科学基金资助项目(F2014208113)
【分类号】：TN773

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