基于IGBT模块饱和压降温度特性的结温探测研究

发布时间：2018-04-22 16:50

  本文选题：IGBT + 结温探测　； 参考：《电子器件》2017年02期

【摘要】：实验室条件下,IGBT模块的结温探测是瞬态热阻抗测试的关键。首先分别在热稳态和热瞬态下证明了饱和压降温度特性只与芯片有关,然后建立了IGBT模块结温探测模型,利用饱和压降值和集电极电流值来计算结温值,并将用模型计算出的结温与光纤实测的结温相比较,吻合性良好,证明了模型计算法能够准确探测结温。该方法可以用于恒流加热过程中瞬态热阻抗的测量,比起热敏参数法中冷却过程测量瞬态热阻抗相比,更具有实际意义。
[Abstract]:The detection of junction temperature of IGBT module in laboratory is the key of transient thermal impedance measurement. Firstly, it is proved that the temperature characteristic of saturation pressure drop is only related to the chip under the thermal steady state and the thermal transient state, then the IGBT module junction temperature detection model is established, and the junction temperature value is calculated by using the saturation pressure drop value and the collector current value. The junction temperature calculated by the model is in good agreement with that measured by the fiber, which proves that the model calculation method can accurately detect the junction temperature. This method can be applied to the measurement of transient thermal impedance in the process of constant flow heating, which is more meaningful than the measurement of transient thermal impedance in the cooling process of the thermal parameter method.
【作者单位】： 河北工业大学电气工程学院;
【基金】：国家科技支撑计划项目(2015BAA09B01) 国家自然科学基金项目(51377044) 河北省科技计划项目(13214303D,14214503D)
【分类号】：TN322.8

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本文编号：1788079