绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

发布时间：2018-04-26 18:29

  本文选题：功率开关器件 + 绝缘栅　； 参考：《电力电子技术》2017年08期

【摘要】：绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态工程,高可靠栅介质及兼容互补MOS(CMOS)工艺的大尺寸Si基GaN器件制造等技术的研究进展,为绝缘栅GaN基平面功率开关器件的产业化应用奠定基础。
[Abstract]:The insulated gate gallium nitride (gan)-based planar power switch is the best choice for the next generation GaN power electronics technology. In this paper, the interface state of Si-based GaN metal insulator (oxide) semiconductor (MOS) high electron mobility transistor (HEMTT) and the industrialized fabrication of enhanced gate are introduced. The surface interfacial state engineering of insulating gate GaN based device is introduced. The research progress of high-reliability gate dielectric and large-size Si-based GaN devices compatible with complementary MOSMOS) technology has laid a foundation for the industrial application of insulated gate GaN based planar power switch devices.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室;
【基金】：中科院前沿科学重点研究项目(QYZDB-SSWJSC012,Y7YT024002) 国家自然科学基金(61474138,11634002,61534007,61527816,61404163,61334002)~~
【分类号】：TN386

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本文编号：1807149