碳化硅MOSFET行为建模方法

发布时间：2018-04-30 07:13

  本文选题：金属氧化物半导体场效应晶体管 + 建模　； 参考：《电力电子技术》2017年09期

【摘要】：针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法。用一组简单方程描述了SiC MOSFET的静态特性并考虑了其温度特性,对两个主要的寄生电容采用了非线性拟合的方法。叙述了模型的构成和实现,与传统方法相比,建模过程中所有参数均基于数据手册,无需进行额外的实验和测试,极大地降低了建模难度。双脉冲测试结果表明模型具有很高的精度。
[Abstract]:In order to solve the complex problem of traditional modeling method, a method of modeling the behavior of silicon carbide (sic) metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFETs) is proposed. The static characteristics of SiC MOSFET are described by a set of simple equations and its temperature characteristics are considered. Two main parasitic capacitors are fitted by nonlinear fitting method. The composition and implementation of the model are described. Compared with the traditional method, all parameters in the modeling process are based on the data manual, no extra experiments and tests are needed, and the difficulty of modeling is greatly reduced. The results of double pulse test show that the model has high accuracy.
【作者单位】： 哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院;伊顿中国研究院;
【分类号】：TN386

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本文编号：1823591