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基于频率可调驻波振荡器的芯片时钟系统设计

发布时间:2018-05-06 00:19

  本文选题:驻波振荡器 + 可变电容 ; 参考:《浙江大学学报(工学版)》2017年01期


【摘要】:介绍采用基于反型金属氧化物半导体场效应晶体管(IMOS)的变容二极管(varactor)实现频率可调节驻波振荡器的设计结构,通过仿真对比驻波振荡器中可变电容集总式分布和离散式分布对频率调节范围和功耗的影响.在65nm工艺下的仿真结果表明,集总式分布的可变电容可以使驻波振荡器以较小的功耗增长获得更大的频率调节范围,频率调节范围可以达到20%.基于该振荡器提出全局同步芯片、全局异步局部同步芯片中时钟系统设计结构,通过仿真测试这些时钟系统在不同温度波动、电压波动和工艺偏差下的频率变化.仿真结果表明,这些结构可以实现高频时钟在指定芯片区域内的高可靠、可调节传输.
[Abstract]:This paper introduces the design structure of frequency adjustable standing wave oscillator using varactor-based varactor-based variable-volume diode based on inverse metal oxide semiconductor field effect transistor (IMOS). The effects of variable capacitance lumped distribution and discrete distribution on frequency regulation range and power consumption are compared by simulation. The simulation results under the 65nm process show that the variable-capacitance with lumped distribution can make the VWO gain a wider range of frequency regulation with smaller power consumption, and the range of frequency regulation can reach 20%. Based on the oscillator, a global synchronous chip and a clock system structure in the global asynchronous local synchronous chip are proposed. The frequency changes of these clock systems under different temperature fluctuations, voltage fluctuations and process deviations are tested by simulation. Simulation results show that these structures can achieve high reliability and adjustable transmission of high frequency clock in specified chip area.
【作者单位】: 复旦大学信息科学与工程学院;
【基金】:上海科委资助项目(14510711500;15511108100)
【分类号】:TN752;TN402

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本文编号:1849925

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