L频段宽带GaN芯片高功率放大器设计

发布时间：2018-05-06 18:42

  本文选题：射频功率放大器 + 匹配网络　； 参考：《电子测量技术》2016年01期

【摘要】：针对当前无线通信系统中射频功率放大器工作带宽窄、输出功率和附加效率低的缺点,本文基于CREE公司的GaN功率管设计了一款新型的L频段宽带大功率射频功率放大器。用源牵引和负载牵引技术测得工作频段内最佳输入输出阻抗,再通过集总参数元件与微带线结合的方法设计宽带匹配网络,并对放大器功率、效率以及谐波分量等指标进行测试。测试数据表明,当放大器工作在L频段300 MHz带宽内(相对工作带宽为27.7%),输入功率为34dBm的连续波(CW)时,其输出功率可达50.4dBm(108 W),附加效率不低于48%,平坦度为±0.1dB。因此,本文设计的GaN射频宽带功率放大器具有带宽宽、效率高、功率大的特点,具备应用价值。
[Abstract]:Aiming at the shortcomings of narrow bandwidth, low output power and low additional efficiency of RF power amplifier in current wireless communication systems, a novel L-band wideband high power RF power amplifier is designed based on GaN power tube of CREE Company. The optimum input and output impedance in the working frequency band is measured by using source traction and load traction techniques. The broadband matching network is designed by combining lumped parameter elements with microstrip lines, and the power of the amplifier is analyzed. Efficiency and harmonic components are tested. The test data show that when the amplifier operates in the L band 300 MHz bandwidth (the relative operating bandwidth is 27.7kW and the input power is 34dBm), the output power can reach 50.4dBm(108 WN, the additional efficiency is not less than 48 dB, and the flatness is 卤0.1 dB. Therefore, the GaN RF wideband power amplifier designed in this paper has the characteristics of wide bandwidth, high efficiency and high power.
【作者单位】： 天津大学电子信息工程学院;
【分类号】：TN722.75

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本文编号：1853434