低阻硅TSV高温工艺中的热力学分析

发布时间：2018-05-07 09:14

  本文选题：三维集成电路 + 硅通孔　； 参考：《北京理工大学学报》2017年02期

【摘要】：针对低阻硅TSV热力学研究的空白做出了相应的仿真分析.首先介绍了低阻硅TSV转接层的加工工艺,接着基于实验尺寸,在350℃工艺温度下,模拟了低阻硅TSV的涨出高度及应力分布.不同于铜基TSV,低阻硅TSV的涨出区域主要集中在聚合物绝缘层的上方.为了减小低阻硅TSV的涨出高度及热应力,分别对工艺温度、表面SiO_2厚度、低阻硅TSV的直径、高度、间距和BCB绝缘层厚度进行了变参分析.结果表明,减小BCB绝缘层的厚度及高度以及增加表面SiO_2厚度是抑制低阻硅TSV膨胀高度及减小热应力的有效方法.
[Abstract]:The corresponding simulation analysis is made for the blank of thermodynamics of low resistance silicon TSV. The processing technology of low resistivity silicon TSV transfer layer is introduced firstly. Then, based on the experimental size, the rising height and stress distribution of low resistivity silicon TSV are simulated at 350 鈩，

本文编号：1856338