高性能锗硅异质结器件击穿特性的研究

发布时间：2018-05-07 21:12

  本文选题：Ge组分分布 + 锗硅/锗硅碳　； 参考：《微电子学》2017年01期

【摘要】：对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。在3种不同Ge分布下,仿真结果表明,基区Ge的均匀分布有利于提高击穿电压;同时将超结结构引入集电区后,SiGe HBT器件的击穿电压提高了36%,由2.5V提高到3.4V。
[Abstract]:The breakdown characteristics of SiGe HBT devices at high frequency are studied. Based on the TCAD simulation tool, the GE distribution in the base region and the doping concentration superjunction structure in the collector region which affect the breakdown characteristics of the devices are analyzed. Under three different GE distributions, the simulation results show that the uniform distribution of GE in the base region is beneficial to increase the breakdown voltage, and the breakdown voltage of SiGe HBT device is increased by 36 times from 2.5 V to 3.4 V when the overjunction structure is introduced into the collector region.
【作者单位】： 重庆邮电大学光电工程学院;模拟集成电路重点实验室;
【基金】：模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1501)
【分类号】：TN322.8

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1858484