大直径锗单晶制备工艺研究及其指标分析

发布时间：2018-05-11 19:24

  本文选题：直拉法 + 锗单晶　； 参考：《云南冶金》2016年06期

【摘要】：采用直拉法(Czochralski method)生成了直径为100 mm、200 mm和300 mm的N型红外用锗单晶,研究了拉晶工艺参数对拉晶的影响,讨论了拉晶速度、成品率和单位质量锗单晶电耗与单晶直径的关系,并对不同直径单晶的晶帽差异进行分析。
[Abstract]:N type infrared germanium single crystals with diameters of 100mm ~ 200mm and 300mm were produced by Czochralski method. The effects of the process parameters on the crystal drawing were studied. The relationship between the crystal pulling speed, the rate of finished product and the power consumption per unit mass of GE single crystal was discussed. The difference of the cap of single crystals with different diameters was analyzed.
【作者单位】： 昆明云锗高新技术有限公司;
【基金】：昆明市科技计划项目,大直径(300-320mm)红外级锗单晶产品开发(编号:2015-1-H-00583)
【分类号】：TN304.11

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本文编号：1875263