980nm大功率半导体激光器的MOCVD外延生长条件优化

发布时间：2018-05-12 04:40

  本文选题：半导体激光器 + MOCVD　； 参考：《半导体光电》2016年04期

【摘要】：为了对980nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结(DH)结构和量子阱(QW)结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试分析,得到Al0.1Ga0.9As波导层的最佳生长温度为675℃,InGaAs QW的最佳长温度为575℃。为了兼顾波导层需高温生长和QW层需低温生长的需求,提出在InGaAs QW附近引入Al_(0.1)Ga_(0.9)As薄间隔层的变温停顿生长方法,通过优化间隔层的厚度,InGaAs QW在室温下的PL谱的峰值半高宽只有23meV。基于优化的外延工艺参数,进行了980nm大功率半导体激光器的外延生长,并制备了腔长4mm、条宽95μm的脊形器件。结果显示,在没有采取任何主动散热情况下,器件在30A注入电流下仍未出现腔面灾变损伤,输出功率达到23.6W。
[Abstract]:In order to rapidly characterize the waveguide layer and active layer epitaxial material of 980nm high power semiconductor laser, the corresponding double heterojunction structure and quantum well QW structure are designed, and the MOCVD epitaxial growth is carried out under different conditions. The optimum growth temperature of Al0.1Ga0.9As waveguide layer is 675 鈩，

本文编号：1877142