InAlSb红外光电二极管性能研究

发布时间：2018-05-12 18:51

  本文选题：InAlSb + InSb　； 参考：《红外与激光工程》2017年07期

【摘要】：在InSb衬底上利用分子束外延生长了p-i-n结构的InAlSb/InSb材料,通过在吸收层和接触层之间生长宽禁带的InAlSb势垒层,验证了势垒层对耗尽层中暗电流的抑制作用。分别基于外延生长的InAlSb材料和InSb体材料,借助标准工艺制备出二极管,并对其电性能进行测量分析,研究发现:77K温度时,在-0.1V的外偏电压下,p+-p+-n--n+结构和p+-n--n+结构InAlSb器件的反偏电流分别为3.4×10~(-6)A·cm~(-2)和7.8×10~(-6)A·cm~(-2)。基于p+-p+-n--n+结构研制的InAlSb二极管的暗电流保持在一个很低的水平,这为提高红外探测器的工作温度提供了重要基础。
[Abstract]:InAlSb/InSb materials with p-i-n structure were grown on InSb substrate by molecular beam epitaxy. The inhibition of dark current in depletion layer was verified by the growth of wide band gap InAlSb barrier layer between absorption layer and contact layer. Based on the epitaxial growth of InAlSb material and InSb bulk material, the diodes were fabricated by the standard process, and their electrical properties were measured and analyzed. The reverse bias currents of p-n n and p-n n InAlSb devices are 3.4 脳 10 ~ (-6) A / cm ~ (-2) and 7.8 脳 10 ~ (-10) ~ (6) A / cm ~ (2) respectively at -0.1V external bias voltage. The dark current of the InAlSb diode based on p-n-n structure is kept at a very low level, which provides an important basis for increasing the working temperature of the infrared detector.
【作者单位】： 中国空空导弹研究院;红外探测器技术航空科技重点实验室;
【基金】：国家国际科技合作专项(2014DFR50790)
【分类号】：TN21

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1879741