基于NIF的IGBT宽频电路快速建模方法

发布时间：2018-05-13 03:00

  本文选题：绝缘栅双极型晶体管 + 点对点阻抗模型　； 参考：《电力电子技术》2017年05期

【摘要】：对电力系统设备或某一部分进行宽频建模的主要目的是分析宽频干扰信号对其正常工作的影响。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以其优异的性能正逐渐成为电力系统中不可或缺的组成,现有的IGBT模型因其各方面缺陷在实际应用上存在不适用性,故提出一种可行的IGBT宽频模型尤为重要。在点对点阻抗模型(NIF)基础上提出一种IGBT快速建模方法,通过测量及实验验证,证明了该模型的准确性。
[Abstract]:The main purpose of the broad frequency modeling for power system equipment or some part is to analyze the influence of broadband interference signal on its normal operation . The insulated gate bipolar transistor ( IGBT ) is becoming an indispensable component in power system .

【作者单位】： 国网福建省电力有限公司检修分公司;
【分类号】：TM743;TN322.8
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本文编号：1881336