高温碲镉汞中波红外探测器的国内外进展

发布时间：2018-05-15 03:18

  本文选题：碲镉汞 + 高工作温度　； 参考：《红外技术》2017年02期

【摘要】：介绍了欧美发达国家在高工作温度碲镉汞中波红外探测器上的工艺技术路线及典型产品技术指标。对昆明物理研究所研制的基于标准n-on-p(Hg空位掺杂)工艺的中波640×512(15μm)探测器进行了高工作温度性能测试,测试结果显示器件性能基本达到国外产品的同期研制水平。
[Abstract]:The technological route and typical product technical index of high temperature mercury cadmium telluride medium wave infrared detector in developed countries in Europe and America are introduced in this paper. The high working temperature performance of the MW 640 脳 512C15 渭 m detector based on the standard n-on-p(Hg vacancy doping process developed by Kunming Institute of Physics has been tested. The test results show that the performance of the device is basically up to the same level as that of the foreign products developed at the same time.
【作者单位】： 昆明物理研究所;
【分类号】：TN215

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本文编号：1890741