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IGBT功率模块状态监测技术研究现状

发布时间:2018-05-15 03:32

  本文选题:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块 + 可靠性 ; 参考:《半导体技术》2017年02期


【摘要】:介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块键合引线脱落和焊料层疲劳两种主要的失效形式,分析了各自的失效机理。从IGBT功率模块失效发生部位的角度出发,即按照基于封装失效的状态监测技术和基于芯片失效的状态监测技术的分类方法,综述了国内外IGBT状态监测技术,总结了两种主要失效形式的外部特征参量的变化,认为IGBT状态监测技术是进行故障预测及诊断、提高IGBT功率模块可靠性、减少经济损失的重要方法。对各种监测方法的优缺点及可行性进行了分析,探讨了其进一步的发展方向,对如何准确获取状态参量、如何提高状态监测技术的准确性等关键问题进行了展望。
[Abstract]:In this paper , two main failure modes of IGBT power module bonding wire shedding and solder layer fatigue are introduced . The failure mechanism of IGBT is analyzed . Based on the state monitoring technology based on package failure and the classification method based on the state monitoring technology based on chip failure , this paper summarizes the changes of the external characteristic parameters of IGBT power module . It is concluded that IGBT state monitoring technology is an important method to predict and diagnose faults , improve the reliability of IGBT power module and reduce economic loss .

【作者单位】: 河北工业大学电气工程学院;
【基金】:国家科技支撑计划资助项目(2015BAA09B01) 国家自然科学基金资助项目(51377044) 河北省科技计划资助项目(14214503D,13214303D)
【分类号】:TN322.8

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号:1890804


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