面向14纳米特征尺寸集成电路后段制程的化学机械抛光

发布时间：2018-05-18 21:44

  本文选题：化学机械抛光 + 互连结构　； 参考：《金属加工(冷加工)》2017年09期

【摘要】：正随着超大规模集成电路的发展,特征尺寸由目前的22纳米(nm)逐渐减小至14 nm。为了克服由此引发的的一系列问题,铜互连结构发生了巨大变化,包括使用钌替代钽/氮化钽作为阻挡层,使用超低介电常数电介质替代二氧化硅作为绝缘层。上述新型铜互连结构对后段制程的化学机械抛光技术提出了新的挑战,本文针对这些挑战开展了系统的研究。在铜抛光阶段,使用1,2,4-三唑和低浓度的聚胺Trilon?P组合替代传统的苯并三氮唑,实现了高的
[Abstract]:With the development of VLSI, the feature size is gradually reduced from 22 nm to 14 nm. In order to overcome a series of problems, copper interconnection structure has undergone great changes, including the use of ruthenium instead of tantalum / tantalum nitride as barrier layer, and the use of ultra-low dielectric constant dielectric instead of silicon dioxide as insulation layer. The new copper interconnection structure presents a new challenge to the chemical-mechanical polishing technology of the back process, which is systematically studied in this paper. In the copper polishing stage, the combination of 1t2n4- triazole and low concentration polyamine Trilon?P is used to replace the traditional benzotriazole, and the high content of benztriazole is achieved.
【作者单位】： 清华大学;中国科学院;
【分类号】：TG175;TG580.692;TN405

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本文编号：1907325