40纳米MOSFET毫米波等效电路的弱反区关键参数提取

发布时间：2018-05-20 05:22

  本文选题：二端口网络 + 纳米MOSFET　； 参考：《四川大学学报(自然科学版)》2017年03期

【摘要】：以双端口网络的分析方法为依托,对40纳米MOSFET的毫米波小信号等效电路的弱反区参数进行提取.该等效电路基于准静态逼近,包括完整的本征准静态MOSFET模型、串联的栅极电阻、源极电阻、漏极电阻以及衬底耦合网络.元件参数提取分为寄生参数提取和本征部分提取,是通过其等效电路的开路短路法来简化等效电路以及分析Y参数所得,提取的结果具有物理意义以及其方法能够去嵌寄生效应,如器件衬底耦合.
[Abstract]:Based on the analysis method of two-port network, the weak inverse region parameters of millimeter-wave small signal equivalent circuit with 40 nm MOSFET are extracted. The equivalent circuit is based on quasi-static approximation, including complete intrinsic quasi-static MOSFET model, series grid resistance, source resistance, drain resistance and substrate coupling network. The component parameter extraction is divided into parasitic parameter extraction and intrinsic part extraction. It simplifies the equivalent circuit by the open-circuit short-circuit method of its equivalent circuit and analyzes the Y parameter. The extracted results are of physical significance and the method can remove parasitic effects, such as substrate coupling.
【作者单位】： 西南科技大学信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(69901003)
【分类号】：TN386

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本文编号：1913346