一种通用的记忆器件模拟器及在串联谐振电路中的应用

发布时间：2018-05-20 06:42

  本文选题：忆阻器 + 忆容器　； 参考：《电子与信息学报》2017年07期

【摘要】：该文基于忆阻器、忆容器和忆感器的物理模型与记忆机理,提出一种统一形式的记忆器件模型。在此基础上结合线性电压控制浮地阻抗(VCFI)电路与电流积分器,构建一种通用的记忆器件模拟器。该电路在拓扑结构保持不变的情况下,通过接入不同性质的元件能分别模拟忆阻器、忆容器和忆感器的电学行为。最后将提出的忆阻器、忆容器和忆感器分别替换RLC串联谐振电路中的电阻、电容和电感元件,并从时域和频域两方面研究了记忆器件对电路的影响。PSPICE仿真结果验证了该模拟器的可行性和有效性。
[Abstract]:Based on the physical model and memory mechanism of memory device, memory container and sensor, a unified memory device model is proposed in this paper. On the basis of this, a general memory device simulator is constructed by combining the linear voltage controlled floating impedance (VCFI) circuit with the current integrator. The circuit can simulate the electrical behavior of the resistor, the memory container and the sensor respectively by connecting different components with the same topology. Finally, the resistor, the memory container and the sensor are proposed to replace the resistors, capacitors and inductors in the RLC series resonant circuit, respectively. The influence of memory devices on the circuit is studied in both time and frequency domain. The simulation results of PSpice verify the feasibility and effectiveness of the simulator.
【作者单位】： 湘潭大学信息工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(61176032) 湖南省自然科学基金(2015JJ2140,2015JJ2142)~~
【分类号】：TN60;TN70

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本文编号：1913580