衬底温度对CZTSSe薄膜结构特性的影响

发布时间：2018-05-22 17:00

  本文选题：铜锌锡硫(CZTSSe) + 衬底温度　； 参考：《光电子·激光》2017年03期

【摘要】：采用热蒸发法制备铟锌锡硫(CZTSSe)薄膜。采用低温一步法在300℃衬底温度下制备CZTSSe薄膜;采用两步法,即在衬底温度分别为300℃和480℃制备CZTSSe薄膜;将衬底温度设定为480℃不变,一步蒸发沉积CZTSSe薄膜。通过对X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼谱对比发现,在300℃低温下一步法和300℃、480℃两步法沉积的薄膜表面粗糙,碎小晶粒较多;在480℃一步高温法制备的薄膜表面平整,晶粒大小均匀,3个衍射峰的半高峰宽变窄,薄膜的结晶质量得到改善,且没有发现其它杂相的拉曼特征峰,沉积出适合作为制备CZTSSe薄膜太阳电池的吸收层。
[Abstract]:Indium zinc tin sulfide (CZTSSee) thin films were prepared by thermal evaporation. CZTSSe thin films were prepared at 300 鈩，

本文编号：1922901