纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应

发布时间：2018-05-22 19:28

  本文选题：纳米级互补金属氧化物半导体集成电路 + 器件沟长　； 参考：《太赫兹科学与电子信息学报》2016年06期

【摘要】：介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展历程及纳米级CMOS集成电路的关键技术,在此基础上研究了纳米级CMOS集成电路的辐射效应及辐射加固现状。研究结果表明,纳米级FDSOICMOS集成电路无需特殊的加固措施,却比相同技术代的体硅CMOS集成电路有好得多的辐射加固能力,特别适用于空间应用环境。
[Abstract]:The development of complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuits and the key technologies of nanoscale CMOS integrated circuits are introduced. Based on this, the radiation effect and radiation reinforcement status of nanoscale CMOS integrated circuits are studied. The results show that the nanoscale FDSOICMOS integrated circuit does not need special reinforcement measures, but it has much better radiation strengthening ability than the bulk silicon CMOS IC with the same technology, which is especially suitable for space applications.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;中国科学院半导体研究所;
【分类号】：TN432

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本文编号：1923326