掺镁ZnO基薄膜体声波谐振器的制备和性能研究

发布时间：2018-05-26 15:27

  本文选题：掺镁ZnO(MgxZn-xO) + 薄膜体声波谐振器　； 参考：《压电与声光》2017年01期

【摘要】：固体装配型薄膜体声波谐振器(FBAR)机械强度好,尺寸小,可在硅片上三维立体集成,灵敏度大,在未来的通信设备制作高带通滤波器和物联网传感器中展现出广泛的应用前景。通过射频磁控溅射系统制备了以掺镁ZnO(MgxZn1-xO)作为压电层的固体装配型薄膜体声波谐振器,研究了掺镁ZnO对薄膜体声波谐振器谐振性能的影响。利用场发射扫描电镜(FESEM)对FBAR的结构进行了微观表征。比较了不同掺镁ZnO靶材对于晶向和谐振性能的影响。通过优化条件,制备出了性能优越的FBAR,其谐振频率在1.8~2.4GHz,品质因数(Q)可达800,回波损耗可达-30dB。
[Abstract]:Solid assembled thin film bulk acoustic resonator (FBARs) has good mechanical strength, small size, 3D integration on silicon wafer and high sensitivity. It will be widely used in future communication equipment to fabricate high bandpass filters and Internet of things sensors. A solid assembled bulk acoustic resonator with magnesium-doped ZnO-MgxZn1-xO as piezoelectric layer was prepared by RF magnetron sputtering system. The effect of magnesium-doped ZnO on the resonant performance of the thin film bulk acoustic resonator was studied. The microstructure of FBAR was characterized by field emission scanning electron microscope (FESEM). The effects of different magnesium-doped ZnO targets on the crystal orientation and resonance properties were compared. The excellent performance of FBARs was obtained under the optimized conditions. The resonant frequency of FBARs was 1.8g / 2.4GHz, the quality factor was 800, and the echo loss was -30dB.
【作者单位】： 上海交通大学电子信息与电气工程学院;
【基金】：国家科技基金资助项目(2011AA050504)
【分类号】：TN65

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本文编号：1937760