过渡金属二硫族化合物在FET中的应用研究进展

发布时间：2018-05-26 18:21

  本文选题：过渡金属二硫族化合物 + FET　； 参考：《人工晶体学报》2017年05期

【摘要】：过渡金属二硫族化合物(Transition-metal dichalcogenides,TMDs)作为一组二维材料具有丰富的物理特性,近几年因其半导特性在半导体器件上具有重要的应用前景而引其了学界的普遍关注。总结了TMDs材料的制备方法及其在场效应管(FET)上的应用研究进展,并对存在的问题以及潜在的研究方向做了展望。
[Abstract]:As a group of two-dimensional materials, transition-metal dichalcogenides (TMDs) has rich physical properties. In recent years, its semiconductive properties have attracted widespread attention due to its important application prospects in semiconductor devices. In this paper, the preparation methods of TMDs materials and their applications in FETs are summarized, and the existing problems and potential research directions are also prospected.
【作者单位】： 福建江夏学院电子信息科学学院;上海大学材料科学与工程学院;有机光电子福建省高校工程研究中心;
【基金】：国家自然科学基金(51503036) 福建省自然科学基金(2017J01733,2015J01654)
【分类号】：TB383.1;TN386
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本文编号：1938381