基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器

发布时间：2018-05-27 03:09

  本文选题：六角氮化硼 + 电阻转变　； 参考：《物理学报》2017年21期

【摘要】：报道了一种基于多层六角氮化硼(h-BN)二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控,使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述,基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.
[Abstract]:A novel mnemonic device based on multilayer hexagonal boron nitride h-BN (h-BN) thin films is reported. The device does not require electrical preprocessing and has self-limiting bipolar resistive behavior, good fatigue resistance and longer data retention time. The device has the characteristic of analog transition under the condition of pulse programming, that is, the resistance state of the device can be continuously regulated under the continuous voltage pulse, which enables the device to imitate the neural synaptic weight change behavior in the neural network system. In conclusion, multilayer h-BN based memory devices have the potential to be used in nonvolatile storage and neural computing.
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;中国科学院大学;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61521064,61422407,61474136,61334007,61404164,61574166,61522408) 国家重点研发计划(批准号:2017YFB0405603,2016YFA0201803) 中国科学院战略性先导科技专项(B类)(批准号:XDPB0603)资助的课题~~
【分类号】：TN60

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本文编号：1940153