4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应

发布时间：2018-05-27 06:00

  本文选题：碳化硅(SiC) + 单粒子烧毁(SEB)　； 参考：《微纳电子技术》2017年02期

【摘要】：对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图。研究结果表明,4H-SiC和6H-SiC VDMOSFET的SEB阈值电压分别为335 V和270 V,发生SEB效应时的最大电场强度分别为2.5 MV/cm和2.2 MV/cm,4H-SiC材料在抗SEB效应方面比6H-SiC材料更有优势。所得结果可为抗辐射功率器件的设计及应用提供参考。
[Abstract]:The single particle burnout effect of vertical double diffusion MOSFETs VDMOSFETs based on 4H-SiC and 6H-SiC is studied. The two-dimensional simulation structure of the device is established, and the physical model and material parameters of different SiC materials are modified. The characteristics of two-dimensional devices are simulated by Silvaco TCAD software, and the drain current curve and electric field distribution of the two devices before and after the SEB effect are obtained. The results show that the SEB threshold voltages of 4H-SiC and 6H-SiC VDMOSFET are 335V and 270V, respectively. The maximum electric field intensity of SEB is 2.5 MV/cm and 2.2 MV / cm ~ 4H-SiC, respectively, which is superior to that of 6H-SiC. The results can provide a reference for the design and application of anti-radiation power devices.
【作者单位】： 空军工程大学理学院;空军第一航空学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11405270)
【分类号】：TN386

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本文编号：1940728