深度等离子体反应刻蚀技术制备擒纵机构

发布时间：2018-05-29 14:13

  本文选题：单晶硅 + 深度等离子体反应刻蚀　； 参考：《微纳电子技术》2017年08期

【摘要】：采用磁控溅射法在单晶硅基片上制备铝膜,并结合光刻技术将擒纵机构图形转移到铝膜。利用铝膜不与刻蚀气体反应的特性,将其取代光刻胶作为深度等离子体反应刻蚀制备擒纵机构时硅基片的掩蔽层,并且采用干氧的方法在擒纵机构表面生成一层SiO2薄膜。详细研究了深度等离子体反应刻蚀的刻蚀宽度对擒纵机构的影响,并对擒纵机构表面进行了详细的SEM分析和EDS能谱分析。研究结果表明,采用铝膜作为掩蔽层能够对擒纵机构的表面和断面起到很好的保护作用,擒纵机构获得优良的表面质量,且在刻蚀窗口宽度为75μm时,获得最优的擒纵机构零件。
[Abstract]:Aluminum films were prepared on monocrystalline silicon substrates by magnetron sputtering, and the escapement mechanism patterns were transferred to aluminum films by photolithography. Taking advantage of the characteristic that aluminum film does not react with etched gas, the aluminum film is replaced by photoresist as the mask layer of silicon substrate for deep plasma reaction etching, and a layer of SiO2 film is formed on the surface of escapement mechanism by dry oxygen method. The effect of the etching width of the deep plasma reactive etching on the escapement mechanism is studied in detail. The surface of the escapement mechanism is analyzed by SEM and EDS spectra. The results show that aluminum film as the mask layer can protect the surface and section of escapement mechanism well. The escapement mechanism can obtain excellent surface quality and obtain the best escapement parts when the width of the etching window is 75 渭 m.
【作者单位】： 陕西理工大学机械工程学院;轻工业钟表研究所精密机电事业部;
【基金】：陕西省科技厅工业攻关项目(2016GY-050) 陕西省教育厅重点实验室重点科研攻关项目(12JS033)
【分类号】：TN305.7

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1951171