晶种诱导电化学沉积法制备AZO薄膜

发布时间：2018-05-31 19:39

  本文选题：晶种诱导 + 电沉积　； 参考：《大连工业大学学报》2017年02期

【摘要】：通过晶种诱导辅助电化学沉积法制备Al掺杂ZnO薄膜(AZO),利用XRD和SEM对薄膜的物相和形貌进行了表征,紫外-可见分光光度计和四探针式方阻仪分析了薄膜的光电性能,研究了不同Al掺杂浓度下AZO薄膜的晶体结构和光电性能。研究表明,一定含量的Al元素掺杂并不影响晶体的结构类型;制备的AZO薄膜均为六方纤锌矿结构,且掺杂后薄膜的电阻呈数量级下降;当Al ~(3+)掺杂浓度为0.005mol/L时,AZO薄膜的结晶性最好,薄膜均匀致密,方块电阻为0.85kΩ,光透过率达85%,禁带宽度为3.37eV。
[Abstract]:Al-doped ZnO thin films were prepared by seed induced-assisted electrochemical deposition. The phase and morphology of the films were characterized by XRD and SEM. The photoelectric properties of the films were analyzed by UV-Vis spectrophotometer and four-probe square resistance instrument. The crystal structure and optoelectronic properties of AZO films with different Al doping concentrations were investigated. The results show that Al doping does not affect the crystal structure, and the AZO films are hexagonal wurtzite structure, and the resistance of the films decreases by an order of magnitude after doping. When the doping concentration of Al ~ (3) is 0.005mol/L, the crystalline property of the thin film is the best, the film is uniform and compact, the square resistance is 0.85 k 惟, the optical transmittance is 85 and the band gap is 3.37 EV.
【作者单位】： 大连工业大学新材料与材料改性省高校重点实验室;
【基金】：大连市建委资助项目(2012-456)
【分类号】：TN304.055

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：1961042