碳化硅ICP刻蚀的掩膜材料

发布时间：2018-06-04 20:58

  本文选题：碳化硅(SiC) + 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀　； 参考：《微纳电子技术》2017年07期

【摘要】：SiC材料由于具有非常强的化学稳定性与机械硬度,不能用酸或碱性溶液对其进行腐蚀,在MEMS制备工艺中,通常采用干法刻蚀来制备SiC结构。针对干法刻蚀中遇到的问题,比较了光刻胶、Al和Ni等多种掩膜材料对SiC刻蚀的影响以及SiC与掩膜材料的选择比。实验证明,光刻胶作为掩膜,与SiC的选择比约为1.67,并且得到的台阶垂直度较差。Al与SiC的选择比约为7,但是致密性差,并且有微掩膜效应。金属Ni与SiC的选择比约为20,并且得到的台阶比较垂直且刻蚀形貌良好。最后,使用Ni作为掩膜材料对SiC压阻式加速度传感器的背腔和压敏电阻进行了电感耦合等离子体(ICP)刻蚀。
[Abstract]:Because of its strong chemical stability and mechanical hardness, SiC materials can not be corroded by acid or alkaline solution. In the preparation of MEMS, dry etching is usually used to prepare SiC structure. In view of the problems encountered in dry etching, the effects of various mask materials, such as photoresist Al and Ni, on SiC etching and the ratio of SiC to mask materials were compared. The experimental results show that the selective ratio of photoresist to SiC is about 1.67, and the selectivity ratio of step perpendicularity to SiC is about 7, but the compactness is poor and there is micromask effect. The selective ratio of Ni to SiC is about 20, and the steps obtained are more vertical and the etching morphology is good. Finally, the back cavity and the varistor of the SiC piezoresistive accelerometer were etched by using Ni as the mask material.
【作者单位】： 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室;火箭军驻7171军事代表室;
【基金】：国家杰出青年基金自然基金资助项目(51225504)
【分类号】：TN304.24

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本文编号：1978804