基于红外测温的GaN HEMT器件结构函数法热阻测量

发布时间：2018-06-07 13:29

  本文选题：热阻测量 + 结构函数　； 参考：《电子器件》2017年05期

【摘要】：为了准确的测量GaN HEMT的热阻参数,在两种不同的管壳接触热阻条件下,利用经过改进的显微红外热像仪测量了GaN HEMT的降温曲线。采用结构函数算法对两种降温曲线进行分析,得到了反映器件各层材料热阻的积分结构函数曲线。当管壳接触层由空气变化为导热硅脂时,积分结构函数曲线发生了变化。通过结构函数曲线能够明确区分被测件不同层的热阻。可以将被测件的分成7层结构,与器件真实结构基本一致。
[Abstract]:In order to accurately measure the thermal resistance parameters of GaN HEMT, the cooling curves of GaN HEMT were measured by using an improved micro-infrared thermal imager under two different contact thermal resistance conditions. Two kinds of cooling curves are analyzed by using the structure function algorithm, and the integral structure function curves reflecting the thermal resistance of each layer of the device are obtained. When the shell and tube contact layer changes from air to heat conductive silicon grease, the integral structure function curve changes. The thermal resistance of different layers can be clearly distinguished by the structural function curve. The measured part can be divided into 7 layers, which is basically consistent with the real structure of the device.
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【分类号】：TN386

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本文编号：1991335