电荷耦合器件硅基底辐照光场研究

发布时间：2018-06-08 07:24

  本文选题：激光技术 + 脉冲激光　； 参考：《光学学报》2016年12期

【摘要】：对电荷耦合器件(CCD)硅基底的光照能量分布进行了建模分析和实验研究。使用原子力显微镜和扫描电子显微镜获取了CCD的关键光学参数,即微透镜表面函数和二氧化硅增厚层厚度。模拟了垂直入射平面光在硅基底表面的能量分布,并与飞秒激光辐照损伤CCD的实验图像进行了比对,二者吻合良好。研究结果表明,微透镜与二氧化硅增厚层的共同作用使得激光能量几乎完全辐照在感光区,激光能量呈哑铃形分布。
[Abstract]:The illumination energy distribution of the charge coupled device (CCD) silicon substrate is analyzed and experimentally studied. The key optical parameters of CCD were obtained by atomic force microscope (AFM) and scanning electron microscope (SEM), namely, the surface function of microlens and the thickness of silica thickening layer. The energy distribution of vertical incident plane light on the surface of silicon substrate is simulated and compared with the experimental images of CCD damaged by femtosecond laser irradiation. The results show that the laser energy is almost completely irradiated in the photosensitive region by the interaction of the microlens and the thickening layer of silica, and the laser energy is dumbbell shaped.
【作者单位】： 中国酒泉卫星发射中心;
【分类号】：TN386.5

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本文编号：1995104