大面阵内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留研究

发布时间：2018-06-12 18:17

  本文选题：行间转移 + CCD　； 参考：《半导体光电》2017年03期

【摘要】：分析了引起大面阵内线转移CCD直流短路的原因,确认了二次金属铝刻蚀残留是引起器件失效的主要原因。利用扫描电子显微镜技术,研究了刻蚀工艺参数对内线转移CCD二次金属铝刻蚀残留的影响。优化了预刻蚀、主刻蚀和过刻蚀三个阶段的工艺条件,消除了金属铝刻蚀残留。采用优化的工艺参数进行二次金属铝刻蚀,器件直流成品率提高了30%。
[Abstract]:The causes of DC short circuit of large plane array inner line transfer CCD are analyzed. It is confirmed that the residual of secondary metal aluminum etching is the main cause of device failure. The effect of etching parameters on the residual of secondary metal aluminum etched by inner line transfer CCD was studied by scanning electron microscope (SEM). The process conditions of pre-etching, main etching and over-etching are optimized, and the residual of aluminum etch is eliminated. By using the optimized process parameters to etch the secondary metal aluminum, the DC yield of the device is increased by 30%.
【作者单位】： 重庆光电技术研究所;
【分类号】：TN386.5

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本文编号：2010628