金刚石半导体材料和器件的研究现状

发布时间：2018-06-13 08:16

  本文选题：金刚石 + 迁移率　； 参考：《微纳电子技术》2017年04期

【摘要】：简述了金刚石半导体材料的主要制备方法,以及掺杂技术及其在器件制备中应用的研究现状。重点介绍了微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备高质量金刚石的优势以及在生长速率、晶体尺寸和晶体质量等方面的研究进展及阻碍因素,并探讨了实现金刚石大尺寸高质量生长的方法。通过对金刚石进行掺杂,可使其呈现p型和n型导电。总结了金刚石p型、n型掺杂及共掺杂的研究现状,并分析了金刚石在掺杂过程中出现的问题,探讨了p型掺杂和n型掺杂的研究方向。最后给出了金刚石在电力电子器件、探测器和场发射器件中的应用现状,并对金刚石的未来发展方向作出了展望。
[Abstract]:In this paper, the main preparation methods of diamond semiconductor materials and the research status of doping technology and their applications in the fabrication of diamond semiconductor materials are reviewed. The advantages of preparing high quality diamond by microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) method and the research progress in growth rate, crystal size and crystal quality are introduced. The method to realize large-scale and high-quality diamond growth is also discussed. By doping diamond, it can show p-type and n-type conduction. The present situation of p-type and n-type doping and co-doping of diamond is summarized. The problems of diamond doping are analyzed, and the research direction of p-type doping and n-type doping is discussed. Finally, the application of diamond in power electronic devices, detectors and field emission devices is presented, and the future development of diamond is prospected.
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;中国科学院半导体研究所低维半导体材料与器件北京市重点实验室;中国科学院大学材料科学与光电技术学院;全球能源互联网研究院;
【基金】：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401) 北京市科技计划项目(D16110300430000) 国网科技项目(5455DW150013)
【分类号】：TN304.18

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2013344