脉冲串激光辐照光电二极管损伤的数值研究

发布时间：2018-06-16 11:57

  本文选题：探测器 + 高斯脉冲　； 参考：《激光与光电子学进展》2017年04期

【摘要】：所有的光电探测器在受到激光辐照时都可能被损坏,对探测器的性能产生不利的影响。为了研究脉冲串激光辐照对光电二极管造成的损伤,建立了脉冲串激光辐照光电二极管的二维轴对称模型及热源模型,采用有限元软件COMSOL Multiphysics模拟了1064nm毫秒级脉冲串激光辐照光电二极管的温度场分布。研究结果表明脉冲个数N为1,3,5,10,30的脉冲激光辐照下,达到光电二极管的熔融损伤阈值所需的脉冲能量密度范围为19.176.4J/cm~2。研究结果对毫秒级脉冲串激光在激光加工以及激光防护的应用方面具有指导意义。
[Abstract]:All photodetectors may be damaged by laser irradiation, which has a negative impact on the performance of the detectors. In order to study the damage caused by pulse string laser irradiation on photodiode, a two-dimensional axisymmetric model and a heat source model of photodiode irradiated by pulse string laser are established. Finite element software COMSOL Multiphysics is used to simulate the temperature distribution of photodiode irradiated by 1064nm millisecond pulse string laser. The results show that the pulse energy density needed to reach the melting damage threshold of photodiode is 19.176.4 J / cm ~ (2) under the irradiation of a pulse laser with N = 1 ~ 3 ~ 3 ~ 5 ~ 5 ~ 10 ~ (-1) ~ (30). The results are of great significance to the application of millisecond pulse string laser in laser processing and laser protection.
【作者单位】： 长春理工大学理学院;
【分类号】：TN15;TN249

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本文编号：2026576