热电制冷HgCdTe中波红外探测器的研制

发布时间：2018-06-20 16:26

  本文选题：红外探测器 + 碲镉汞　； 参考：《红外技术》2017年08期

【摘要】：利用碲镉汞(HgCdTe)体晶材料,采用HgCdTe材料拼接技术、磨抛技术等成熟的探测器芯片制备工艺以及三级热电制冷技术,设计并研制出了热电制冷型13元HgCdTe中波红外光导探测器。在-50℃时,峰值电压响应率可达2.7×104 V/W,峰值探测率达到2.3×1010 cm·Hz1/2·W-1,响应波段在3.0~4.6mm之间,峰值响应波长为4.2mm。
[Abstract]:Using HgCdTe bulk crystal material, HgCdTe material splicing technology, grinding technology and other mature technology, as well as three-stage thermoelectric refrigeration technology, a 13 element HgCdTe medium-wave infrared photoconductive detector was designed and developed. At -50 鈩，

本文编号：2044892