基于金刚石的GaN基微波功率器件研究进展

发布时间：2018-06-20 17:03

  本文选题：金刚石 + 氮化镓　； 参考：《西安邮电大学学报》2016年03期

【摘要】：金刚石在目前所知的天然物质中具有最高的热导率,在高频、大功率GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)和电路的散热方面极有应用潜力。综述化学气相沉积多晶金刚石衬底的衬底转移技术、单晶金刚石衬底的直接外延技术和纳米金刚石表面覆膜的器件工艺技术在GaN基HEMT器件中的应用研究和发展历程,并分析每种技术的优缺点。
[Abstract]:Diamond has the highest thermal conductivity among known natural materials, and has great potential in high frequency, high power GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) and heat dissipation of circuits. In this paper, the substrate transfer technology of chemical vapor deposition polycrystalline diamond substrate, the direct epitaxy technology of single crystal diamond substrate and the application and development of nano-diamond coated device technology in GaN-based HEMT devices are reviewed. The advantages and disadvantages of each technology are analyzed.
【作者单位】： 国防科工局协作配套中心;中科院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金重点资助项目(61334002)
【分类号】：TN386

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本文编号：2044992