Ku波段12 W GaAs pHMET功率MMIC
本文选题:GaAs功率放大器 + Ku波段 ; 参考:《固体电子学研究与进展》2017年03期
【摘要】:报道了一款采用0.25μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ku波段功率放大器芯片。芯片采用三级放大拓扑结构,末级输出匹配电路按照高效率设计,同时优化前后级推动比控制前级电流。级间采用有耗匹配电路设计,提高大信号状态下的稳定性。在16~18GHz频带范围内漏压8.5V、脉宽1μs、占空比40%的工作条件下线性增益大于25dB;饱和输出功率大于12 W,饱和效率大于32%,功率增益大于21dB,功率增益平坦度小于±0.5dB。芯片尺寸为3.5mm×4.6mm。
[Abstract]:A Ku-band power amplifier chip developed by 0.25 渭 m GaAs power MMIC process is reported. The chip adopts a three-stage amplifier topology, the final stage output matching circuit is designed according to the high efficiency, and the forward stage current is controlled by optimizing the propulsive ratio of the front stage. A lossy matching circuit is used between stages to improve the stability of large signal state. The linear gain is more than 25 dB under the condition of leakage voltage 8.5 V, pulse width 1 渭 s, duty cycle 40%, saturation output power is more than 12 W, saturation efficiency is more than 32dB, power gain is more than 21 dB, and power gain flatness is less than 卤0.5 dB. The chip size is 3.5mm 脳 4.6 mm.
【作者单位】: 海军驻南京地区电子设备军事代表室;
【分类号】:TN722.75
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,本文编号:2050652
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