高性能栅压自举开关的设计

发布时间：2018-06-22 09:16

  本文选题：模数转换器(ADC) + 栅压自举采样开关　； 参考：《半导体技术》2017年09期

【摘要】：对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作环境。互补型栅压自举开关电路采用28 nm工艺设计,在1 V的电源电压下,对800 f F的负载电容进行速率为800 MS/s的采样,在低频输入下(181.25 MHz)实现的无杂散动态范围(SFDR)为89 d B,四倍奈奎斯特输入频率下(1 556 MHz)实现的SFDR为65 d B,开关电路面积为80μm×20μm。
[Abstract]:In this paper, the on-resistance of traditional switching circuit in A / D converter is analyzed in detail, and a complementary gate voltage bootstrap switching circuit is proposed. Compared with the traditional switch, the circuit structure gains better performance in frequency domain through a small power cost, and has better robustness under different process angles. It is suitable for low-voltage working environment in advanced technology. The complementary gate voltage bootstrap switching circuit is designed in a 28nm process. The load capacitance of 800F is sampled at the rate of 800ms / s at 1 V power supply voltage. The non-spurious dynamic range (SFDR) is 89 dB at low frequency input (181.25 MHz) and 65 dB at four times Nyquist input frequency (1 556 MHz). The switching circuit area is 80 渭 m 脳 20 渭 m.
【作者单位】： 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室;
【分类号】：TN792

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 赵佶;;罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象[J];半导体信息;2012年04期

2 张明兴;;导通电阻为零的模拟开关[J];电子技术;1986年12期

3 孙隽;;导通电阻极大减小的新型垂直功率MOSFET结构[J];电子工艺技术;1986年04期

4 Daisuke Ueda ,李巍;一种能降低导通电阻的新型纵向功率MOSFET结构[J];微电子学;1987年02期

5 ;新品之窗[J];电子元器件应用;2002年06期

6 陈力;冯全源;;低压沟槽功率MOSFET导通电阻的最优化设计[J];微电子学;2012年05期

7 ;Vishay发布采用ThunderFET~汶技术的通过AEC-Q101认证的最新MOSFET[J];电子设计工程;2014年06期

8 张雯,阎冬梅;VDMOSFET的最佳化设计研究(500V)[J];辽宁大学学报(自然科学版);2004年01期

9 王颖;程超;胡海帆;;沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究[J];北京工业大学学报;2011年03期

10 赵佶;;Mouser开始供应Vishay Siliconix Si8802 TrenchFET功率MOSFET[J];半导体信息;2012年06期

相关会议论文 前3条

1 孟坚;高珊;陈军宁;柯导明;孙伟锋;时龙兴;徐超;;用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型[A];2005年“数字安徽”博士科技论坛论文集[C];2005年

2 武洁;方健;李肇基;;单晶扩散型LDMOS特性分析[A];展望新世纪——’02学术年会论文集[C];2002年

3 武洁;方健;李肇基;;单晶扩散型LDMOS特性分析[A];中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会论文集[C];2002年

相关重要报纸文章 前2条

1 山东 毛兴武;由STA500组成的60W D类放大器[N];电子报;2002年

2 吴;发展中的沟槽栅MOS器件[N];中国电子报;2001年

相关博士学位论文 前2条

1 章文通;超结功率器件等效衬底模型与非全耗尽工作模式研究[D];电子科技大学;2016年

2 黄海猛;超结器件的模型研究及优化设计[D];电子科技大学;2013年

相关硕士学位论文 前10条

1 吴克滂;功率MOSFET的终端耐压特性研究[D];西南交通大学;2015年

2 汪德波;60V 功率U-MOSFET失效分析与再设计[D];西南交通大学;2015年

3 吴文杰;一种基于曲率结扩展原理的衬底终端结构的研究[D];电子科技大学;2014年

4 徐青;槽型高压低功耗横向MOSFET研究[D];电子科技大学;2015年

5 翟华星;基于离子注入工艺的新型SiC IGBT的设计与仿真[D];西安电子科技大学;2014年

6 廖涛;电磁炉用NPT型IGBT的研究[D];东南大学;2015年

7 于冰;基于0.25μm工艺的低压Power MOS设计与研究[D];东南大学;2015年

8 周倩;一种低导通电阻60V Trench MOSFET的设计与制造[D];上海交通大学;2015年

9 李春来;新型低压LDMOS结构设计与仿真[D];西安电子科技大学;2015年

10 江芙蓉;碳化硅MOSFET的特性研究[D];浙江大学;2017年

，

本文编号：2052351