第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战

发布时间：2018-06-24 15:24

  本文选题：氮化镓 + Si衬底上GaN功率电子器件　； 参考：《电源学报》2016年04期

【摘要】：氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能更充分发挥GaN性能的"真"常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化,仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。
[Abstract]:Gallium nitride (GaN) has excellent physical properties. It is very suitable for the fabrication of high temperature, high speed and high-power electronic devices. It has a very broad market prospect. GaN based power switching devices on the.Si substrate are the mainstream technology routes, in which the junction gate structure (P gate) and the common source cascade (Cascode) cascade structure have already been used. The industry is gradually realized and applied in the fields of general power supply and photovoltaic inverter. However, in view of the shortcomings of the two devices, the industry is more expected to give full play to the "true" MOSFET devices of GaN performance. And the comprehensive and practical application of GaN MOSFET devices still faces the aspect of material extension and device stability. The challenge.
【作者单位】： 中山大学电子与信息工程学院;中山大学电力电子及控制技术研究所;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51177175) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032606) 广东省自然科学基金资助项目(2015A030312011)~~
【分类号】：TN386.1;TN304.2

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