SBFL结构SiGe HBT器件的击穿特性研究

发布时间：2018-06-25 16:12

  本文选题：锗硅异质结器件 + 超结结构　； 参考：《微电子学》2017年03期

【摘要】：对高频SiGe HBT器件的击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,对超结结构引入器件集电区后的击穿特性进行了分析,提出了一种采用分裂浮空埋层结构(SBFL)的SiGe异质结器件。这种结构改善了器件的内部电场分布,电场分布由原来的单三角形分布变成双三角形分布。仿真结果表明,该器件结构的击穿电压由原有的3.6V提高到5.4V,提高了50%。
[Abstract]:The breakdown characteristics of high frequency SiGe HBT devices are studied . By means of the TCAD simulation tool , the breakdown characteristics of the super junction structure are analyzed and a SiGe heterojunction device with split floating buried layer structure ( SBFL ) is proposed . The structure improves the internal electric field distribution of the device . The distribution of the electric field is changed from the original single triangle distribution to the double triangle distribution . The simulation results show that the breakdown voltage of the device structure is increased from 3.6 V to 5.4 V , which is improved by 50 % .
【作者单位】： 重庆邮电大学光电工程学院;模拟集成电路重点实验室;中国电子科技集团公司第二十四研究所;
【基金】：模拟集成电路重点实验室基金资助项目(0C09YJTJ1501)
【分类号】：TN322.8

【参考文献】

相关期刊论文 前4条

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号：2066675