Si肖特基二极管直流及高频建模

发布时间：2018-06-29 08:58

  本文选题：肖特基二极管 + 直流及高频特性　； 参考：《电子器件》2017年01期

【摘要】：采用分段提参的方法,针对SMIC 130 nm CMOS工艺下CoSi_2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热发射效应,也考虑了势垒不均匀效应、大注入效应及隧穿效应的影响。高频时,在直流特性基础上特别考虑了衬底以及金属寄生效应的影响。该模型直流拟合误差为1.26%,高频时在整个测试频段(1 GHz~67 GHz)内电阻、电容拟合误差分别为3.16%和2.25%。据我们所知,这是首次针对CoSi_2-Si肖特基二极管建立完整模型,考虑直流及高频特性并给出了相应的提参步骤。
[Abstract]:A unified model for the DC and high frequency characteristics of CoSiS _ 2-Si Schottky diodes in SMIC 130nm CMOS process is established by means of piecewise extraction of parameters. In addition to the thermal emission effect, the effect of barrier inhomogeneity, large injection effect and tunneling effect are also considered. At high frequency, the effect of substrate and metal parasitism is specially considered on the basis of DC characteristics. The DC fitting error of the model is 1.26 and the capacitance fitting error is 3.16% and 2.25% respectively in the whole test band (1 GHz ~ 67 GHz) at high frequency. As far as we know, this is the first time to establish a complete model for CoSi2-Si Schottky diodes. The DC and high frequency characteristics are considered and the corresponding steps are given.
【作者单位】： 清华大学微纳电子系;
【基金】：国家自然科学基金项目(61176034)
【分类号】：TN311.7

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